Оперативная память 16 GB DDR5 Samsung M425R2GA3BB0-CWM (44800 Мб/с, 5600 МГц, CL40)
Тип памяти: DDR5
Форм-фактор: SODIMM 260-контактный
Тактовая частота: 5600 МГц
Объем: 16 GB
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Радиатор: нет
Все характеристики >Характеристики
Общие характеристики
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
Row Precharge Delay (tRP)
46
Activate to Precharge Delay (tRAS)
46