Оперативная память 2 GB DDR3 AMD R532G1601S1S-UO (12800 МБ/с, 1600 МГц, CL11)
Тип памяти: DDR3
Форм-фактор: SODIMM 204-контактный
Тактовая частота: 1600 МГц
Объем: 2 GB
Низкопрофильная (Low Profile): нет
Радиатор: нет
Все характеристики >Характеристики
Общие характеристики
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28